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主营产品:精密科研仪器

[供应]碳素材料电阻率测定方法详情|冠测精电

更新时间:2018-10-22 18:21:33
仪器具有测量精度高、灵敏度高、稳定性好、智能化程度高、结构紧凑、使用简便等特点。仪器适用于半导体材料厂器件厂、科研单位、高等院校对导体、半导体、类半导体材料的导电性能的测试。三、基本技术参数1. 测量范围、分辨率 ? ?电 ? ?阻: ? ? 0.010 ~ 9999Ω, ? ?分辨率0.001 ~ 1 Ω ? ?电 阻 率: ? ? 0.010~ 2000Ω-cm,碳素材料电阻率测定方法商情, 分辨率0.001 ~ 1 Ω-cm ? ?方块电阻: ? ? 0.050~ 2000Ω/□ ? 分辨率0.001 ~ 1 Ω/□2. 材料尺寸 ? 手持方式不限材料尺寸,但加配测试台则由选配测试台和测试方式决定 ? 直 ? ?径:SZT-A圆测试台直接测试方式 Φ15~130mm。 ? SZT-C方测试台直接测试方式180mm×180mm。 ? 长(高)度:测试台直接测试方式 H≤100mm。. ? 测量方位: 轴向、径向均可. 符合半导体材料电阻率的国际及测试方法。2、测量厚度大于4倍探针间距的硅晶体,也可测量薄硅片电阻率及方阻。3、电阻率测量范围复盖常用的区段:0.01—199.9Ω·cm。(可添加电阻率小于0.5Ω·cm的报警功能)? ? 方块电阻测量范围复盖常用的区段:0.1—1999Ω/□。(可添加方块电阻小于5Ω/□的报警功能)4、配置恒流源,测量电流稳定,分两档:1mA、10mA,每档均可在大范围内调节(1mA:0.1—1mA;10mA:1mA—10mA)。5、测量精度高:电器测量精度优于0.3%;? ? 整机测量误差:测量1-100Ω·cm的标准硅片误差≤±3%。? ? 测量大于100Ω·cm和小于1Ω·cm的标准硅片误差≤±5%。6、重量轻,约2.5kg;体积小:240×210×100(mm)。7、可配用多种探针间距的四探针头:1.00mm、1.59mm。技术参数:1、工作频率:60 KHz2、电导率测量范围:0-100μΩ3、测量精度:±1%(温度在0℃~40℃)4、 提离效应:100μm5、自动补偿功能:电导率测量结果自动矫正为20℃数值6、正常工作环境:温度0℃~+50℃,相对湿度0~95%7、显示:中屏幕,显示电导率值、频率、时间。8、供电:配锂离子充电电池9、探头:C型机配直径¢14mm工作频率60 KHz探头一支10、读数存储器:可保存500组测量数据11、主机重量:0.3KG(含电池)12、主机尺寸:170 mm×88 mm×50 mm13、仪器外壳:高抗冲击、防水淋工程塑料外壳14、包装及防护:高抗冲击、便携式手提箱,内装有仪器、探头、通讯电缆、操作手册、电导率标块、充电器、仪器支架,光盘  北京冠测,碳素材料电阻率测定方法详情由北京冠测精电仪器设备有限公司提供。北京冠测精电仪器设备有限公司()位于上海徐汇区桂林路1号(冠测仪器上海事业部)。在市场经济的浪潮中拼博和发展,目前冠测精电在试验机中拥有较高的度,享有良好的声誉。冠测精电取得全网商盟认证,标志着我们的服务和管理水平达到了一个新的高度。冠测精电全体员工愿与各界有识之士共同发展,共创美好未来。 产品:北京冠测供货总量:不限产品价格:议定包装规格:不限物流说明:货运及物流交货说明:按订单
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