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[供应]三酸抛光工艺-三酸抛光-昆山韩铝化学表面材料(查看)

更新时间:2020-2-1 12:31:10(长期有效)
1. LED行业LED芯片主要采用的衬底材料是蓝宝石,在加工过程中需要对其进行减薄和抛光。蓝宝石的硬度极高,普通磨料难以对其进行加工。在用金刚石研磨液对蓝宝石衬底表面进行减薄和粗磨后,表面不可避免的有一些或大或小的划痕。CMP抛光液利用“软磨硬”的原理很好的实现了蓝宝石表面的精密抛光。随着LED行业的快速发展,聚晶金刚石研磨液及二氧化硅溶胶抛光液的需求也与日俱增。



这两个概念主要出半导体加工过程中,的半导体基片(衬底片)抛光沿用机械抛光、例如氧化镁、氧化锆抛光等,但是得到的晶片表面损伤是极其严重的。直到60年代末,三酸抛光剂,一种新的抛光技术——化学机械抛光技术(CMP Chemical Mechanical Polishing )取代了旧的方法。CMP技术综合了化学和机械抛光的优势:单纯的化学抛光,抛光速率较快,三酸抛光,表面光洁度高,损伤低,平整性好,但表面平整度和平行度差,抛光后表面一致性差;单纯的机械抛光表面一致性好,表面平整度高,但表面光洁度差,三酸抛光厂家,损伤层深。化学机械抛光可以获得较为平整的表面,又可以得到较高的抛光速率,得到的平整度比其他方法高两个数量级,三酸抛光工艺,是能够实现全局平面化的有效方法。



金属的化学抛光,常用、磷酸、硫酸、盐酸等酸性溶液抛光铝、铝合金、钥、钥合金,碳钢及不锈钢等。有时还加人明胶或甘油之类。抛光时必须严格控制溶液温度和时间。温室从室温到90℃,时间自数秒到数分钟,要根据材料、溶液成分经实验后才能确定值。半导体材料的化学抛光,如锗和硅等半导体基片在机械研磨平整后,还要终用化学抛光去除表面杂质和变质层。常用和、硫酸混合溶液或和氢氧化铵的水溶液。



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