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主营产品:GES5E,全光谱椭偏仪,少子寿命

GES5E全光谱椭偏仪

2018-4-19 15:21:04
供 应 商:北京飞凯曼科技有限公司
产品名称:GES5E全光谱椭偏仪
产品类别:仪器仪表>>光学仪器
产品价格:面议/
关 键 词:GES5E,全光谱椭偏仪,少子寿命
更新时间:2018-4-19 15:21:04(共浏览261)
产家区域:匈牙利
型号规格:GES5E
GES5E全光谱椭偏仪
详细说明
北京飞凯曼科技有限公司提供匈牙利Semilab公司GES5E型(法国Sopra公司)、SE-2000型、SE-1000光谱型椭偏仪。WT-2000型、WT-1200A、WT-1000型少子寿命测试仪、DLS-83D深能级瞬态谱仪、扩展电阻测试仪、汞探针测试仪(汞CV测试仪)、非接触式霍尔效应测试仪、原子力显微镜、扫描探针显微镜、纳米压痕测试仪。
GES5E全光谱椭偏仪基于椭圆偏振测试技术,采用的旋转补偿器,结合光纤专利技术将偏振光信号传输至分段光谱优化的高分辨率单色仪或阵列式多通道摄谱仪,测得线偏振光经过样品反射后的偏振态变化情况,并通过样品光学模型的建立,计算出单层或多层薄膜结构的厚度、折射率和消光系数,实现精确、、稳定的宽光谱椭偏测试。
GES5E是Semilab针对科研院所和企业研发中心推出的多功能桌面
型旗舰产品。为了满足科研院所及研发中心对于复杂薄膜材料和复杂多层薄膜结构的综合型测试需求,GES5E采用了模块化的设计,可自由组合多种扫描和真空变温样品台,多种从135nm深紫外光谱至2400nm近红外光谱的探测器,多种测试光斑尺寸,并可拓展FTIR红外光谱测试模组、EPA薄膜孔隙率测试模组、涡电流法非接触方块电阻测试模组、Mueller Matrix各项异性材料测试模组、Raman结晶率测试模组、反射干涉测试模组、透射率和反射率测试模组等多种功能,为方便用户合理配置,Semilab支持绝大部分模组的后续升级服务。
产品特点
业界家光谱型椭偏仪测试设备厂商
业界标准测试机构定标设备,参与发布人民共和国椭圆偏振测试技术标准
非接触、无损测试所测样品无损伤的测量
业界宽测试光谱范围,选配135nm-25um,并可自动切换探测模式和探测模式
测试功能延展性强,并支持后续升级服务
定期免费升级SOPRA材料数据库
开放光学模型拟合分析过程,方便用户优化测试菜单
主要应用
光伏行业:晶硅电池减反膜、薄膜电池透明导电膜、非晶硅微晶硅薄膜电池、CIGS薄膜电池、CdTe薄膜电池、有机电池、染剂敏感太阳能电池
半导体行业:High-K、Low-K、金属、光刻工艺、半导体镀膜工艺、外延工艺
平板显示行业:TFT、OLED、LTPS、IGZO、彩色滤光片
光电行业:光波导、减反膜、III-V族器件、M、溶胶凝胶
主要技术指标
测试速度:<1 sec (测试模式)
<120 sec (高分辨率测试模式)
测量光谱分辨率:<0.5nm@633nm (高分辨率测试模式)
   <0.8nm@633nm (测试模式)
样品尺寸: 300mm
厚度测量范围:0.01nm-50um
厚度测试精度:0.02nm @120nm SiO2 on Si
折射率测试精度:0.002 @120nm SiO2 on Si

技术参数
测试速度:<1 sec (快速测试模式)
<120 sec (高分辨率测试模式)
测量光谱分辨率:<0.5nm@633nm (高分辨率测试模式)
<0.8nm@633nm (快速测试模式)
最大样品尺寸: 300mm
厚度测量范围:0.01nm-50um
厚度测试精度:0.02nm @120nm SiO2 on Si
折射率测试精度:0.002 @120nm SiO2 on Si
功能特征
业界家光谱型椭偏仪测试设备厂商
业界标准测试机构定标设备,参与发布人民共和国椭圆偏振测试技术标准
非接触、无损测试所测样品无损伤的测量
业界宽测试光谱范围,选配135nm-25um,并可自动切换探测模式和探测模式
测试功能延展性强,并支持后续升级服务
定期免费升级SOPRA材料数据库
开放光学模型拟合分析过程,方便用户优化测试菜单
企业名片
北京飞凯曼科技有限公司
赵经理(先生)  /经理
联系地址:中国·北京市·北京市·大兴区华佗路9号院熙兆大厦2号楼11层(邮编:102600)
联系电话:010-57034898 手机:13426411645
联系传真:010-65800645
电子邮箱:info@pcm-bj.com 联系QQ:1606737747
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