离子束刻蚀系统北京埃德万斯离子束技术研究所股份有限公司原名为北京埃德万斯离子束技术研究所，成立于2001年，自主独立设计了离子束刻蚀设备和双离子束溅射沉积镀膜设备，其自主设计的考夫曼离子源稳定性≤±3%，刻蚀均匀性≤±5%，工件台采用水冷控温系统，温度可以控制在5℃~25℃。离子束刻蚀系统
北京埃德万斯离子束技术研究所股份有限公司原名为北京埃德万斯离子束技术研究所，成立于2001年，自主独立设计了离子束刻蚀设备和双离子束溅射沉积镀膜设备，其自主设计的考夫曼离子源稳定性≤±3%，刻蚀均匀性≤±5%，工件台采用水冷控温系统，温度可以控制在5℃~25℃。
