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封装用IGBT测试仪批发货真价实 华科半导体测试仪

华科智源IGBT测试仪制造标准 华科智源IGBT测试仪HUSTEC-1200A-MT除满足本技术规格书的要求外,在其设计、制造、试验、检定等制程中还应满足以下标准的版本。9A±3%±50mA 10A~50A±3%±1A 3、EA:10mJ~20J 10mJ~1000mJ±3%±1mJ 1J~20J±3%±10mJ 4、脉冲宽度:40—1000uS可设定 5、测试频率:单次 2。 GB/T 2933
封装用IGBT测试仪批发

华科智源IGBT测试仪制造标准 华科智源IGBT测试仪HUSTEC-1200A-MT除满足本技术规格书的要求外,在其设计、制造、试验、检定等制程中还应满足以下标准的版本。9A±3%±50mA 10A~50A±3%±1A 3、EA:10mJ~20J 10mJ~1000mJ±3%±1mJ 1J~20J±3%±10mJ 4、脉冲宽度:40—1000uS可设定 5、测试频率:单次 2。 GB/T 29332-2012 半导体器件分立器件第9 部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT) GB 13869-2008 用电安全导则 GB19517-2004 电器设备安全技术规范 GB 4208-2008 外壳防护等级(IP 代码)(IEC 60529:2001,IDT) GB/T 191-2008 包装储运图示标志 GB/T 15139-1994 电工设备结构总技术条件 GB/T 2423 电工电子产品环境试验 GB/T 3797-2005 电气控制设备 GB/T 4588.3-2002 印制板的设计和使用 GB/T 9969-2008 工业产品使用说明书总则 GB/T 6988-2008 电气技术用文件的编制 GB/T 3859.3 半导体变流器变压器和电抗器 GB/T 4023-1997 半导体器件分立器件和集成电路第2 部分:整流二极管



测试大功率元件应用范例说明?

2011年,我们在深圳地铁运营公司前海车辆段大修车间,进行了实际的展示与操作,厂方提供了许多元件来测试,其中一部份由于损毁严重,在一开始的功能与元件判别过程,即被判出局,而未进入实质的参数量测,也有全新的IGBT,量测结果完全合乎出厂规格.对其测试数据极为满意,解决了特大功率器件因无法测试给机车在使用带来的工作不稳定、器件易烧坏、易等问题。因此,测量大电流情况下的各个模块实际技术参数,进行跟踪管理,可有效保障机车中间直流环节可靠运行。用户能对旧品元件作筛选,留下可用元件,确实掌握设备运转的可靠度。



3、系统基本参数

3.1 电 压 源:220VAC ±10% ,50Hz/60Hz 20A RMS;

3.2 加热功能:室温~150℃;

3.3 测试功能:可测试IGBT模块及FRD;

3.4 环境温度:25℃±15℃;

3.5 环境湿度:50% ±20% (相对湿度)

4、动态测试基本配置

4.1 集电级电压 Vcc: 50 ~ 1000V;

4.2 集电极电流 Ic: 50 ~ 1000A 感性负载;

4.3 电流持续时间 It: 10 ~ 1000 us 单个脉冲或双脉冲的总时间; 4.4 脉 冲 模 式: 单脉冲和双脉冲;

4.5 单电流脉冲的设置: Vcc,Ic, 电感值(自动计算脉宽);

4.6 双电流脉冲的设置: Vcc, Ic, 电感值,间隙时间(10到50us)(脉宽自动计算);

(开启Qrr测试:第二个脉宽=间隙时间,10~50us);

4.7 设备寄生电感 Lint: < 65nH(感性动态测试)。



5、感性负载

5.1 有效电感 L 100 200 500 1000 μH;

5.2 电流 Ic 1000 1000 1000 500 A;

外部电感成阵列的内部连接。(外部电感的H值传给PC,以计算电流源的极限,限制脉宽到1000us)。

6、标准的双控制极驱动

6.1 门极电阻可人工预先设定如:2.5Ω,5Ω,10Ω等;

6.2 开启(Trun-ON)输出电压 Vge+ : +15V;

6.3 关断(Trun-ON)输出电压 Vge- : -15V;

6.4 脉宽: 10 ~ 1000us (单脉冲、双脉冲总时间);

6.5 电压开关时间: < 50ns;

6.6 输出内阻: < 0.5Ω;





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