现今Power MOSFET(金属氧化物场效晶体管)及IGBT（绝缘栅型场效应晶体管）已成为大功率元件的主流，在市场上居于主导地位。9A±3%±50mA
10A～50A±3%±1A
3、EA：10mJ～20J
10mJ～1000mJ±3%±1mJ
1J～20J±3%±10mJ
4、脉冲宽度：40—1000uS可设定
5、测试频率：单次
2。由于科技进步，电力电子装置对轻薄短小及之要求 ,带动MOS
变频器用IGBT测试仪批发
现今Power MOSFET(金属氧化物场效晶体管)及IGBT（绝缘栅型场效应晶体管）已成为大功率元件的主流，在市场上居于主导地位。9A±3%±50mA
10A～50A±3%±1A
3、EA：10mJ～20J
10mJ～1000mJ±3%±1mJ
1J～20J±3%±10mJ
4、脉冲宽度：40—1000uS可设定
5、测试频率：单次
2。由于科技进步，电力电子装置对轻薄短小及之要求 ,带动MOSFET及IGBT的发展，尤其应用于电气设备、光电、航天、铁路、电力转换....等领域，使半导体开发技术人员在市场需求下，对大功率元件的发展技术，持续在突破。
9）尖峰抑制电容
用于防止关断瞬态过程中的IGBT器件电压过冲。
将量测的数据与其出厂规格相比较，就可判定元件的好坏或退化的百分比。电容容量 200μF
分布电感 小于10nH
脉冲电流 2kA
工作温度 室温～40℃
工作湿度 <70%
11）动态测试续流二极管
用于防止测试过程中的过电压。
反向电压 8000V(2只串联)
-di/dt大于2000A/μs
通态电流 1200A
压降小于1V
浪涌电流大于20kA
反向恢复时间小于2μs
工作温度 室温～40℃
工作湿度 <70%
12）安全工作区测试续流二极管
反向电压 12kV(3只串联)
-di/dt 大于2000A/μS
通态电流 1200A
压降 小于1V
浪涌电流 大于20kA
反向恢复时间 小于2μS
工作温度 室温～40℃
工作湿度 <70%
7要求
卖方应通过ISO 9001质量论证。
卖方所提供的元件，必须是经过检验合格的器件，否则，买方有权拒付货款。可移动型仪器，使用方便，测试简单，立即提供测试结果与数值。
买方有权要求卖方委托第三方进行有关参数的测试，以确保出厂测试的参数真实有效。
在调试期间发现元件有缺陷或受到损坏，应由卖方负责免费更换并予以赔偿。
卖方由于自身原因而延迟交货时，买方有权按商务规定方法向卖方收取罚款。
卖方对技术规范保证数据的有效性及交货保质期等应由双方协商确定并签署在合同中。
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