现今Power MOSFET(金属氧化物场效晶体管)及IGBT（绝缘栅型场效应晶体管）已成为大功率元件的主流，在市场上居于主导地位。工作湿度 9）尖峰抑制电容 用于防止关断瞬态过程中的IGBT器件电压过冲。由于科技进步，电力电子装置对轻薄短小及之要求 ,带动MOSFET及IGBT的发展，尤其应用于电气设备、光电、航天、铁路、电力转换....等领域，使半导体开发技术人员在市场需求下，对大功率元件的发
封装用IGBT测试仪现货供应
现今Power MOSFET(金属氧化物场效晶体管)及IGBT（绝缘栅型场效应晶体管）已成为大功率元件的主流，在市场上居于主导地位。工作湿度 9）尖峰抑制电容 用于防止关断瞬态过程中的IGBT器件电压过冲。由于科技进步，电力电子装置对轻薄短小及之要求 ,带动MOSFET及IGBT的发展，尤其应用于电气设备、光电、航天、铁路、电力转换....等领域，使半导体开发技术人员在市场需求下，对大功率元件的发展技术，持续在突破。
测试参数多且完整、应用领域更广泛，但只要使用其基本的2项功能：「开启」电流压降，「关闭」电流的漏电流，就可知道大功半导体有没有老化的现象。
可移动型仪器，使用方便，测试简单，立即提供测试结果与数值。
适用的半导体元件种类多，尤其能测大功率元件。
用户能确实掌握新采购元件的质量，避免用到瑕疵或品。
完全由计算机控制、的设定参数。
适用于实验室和老化筛选的测试。
操作非常简单、速度快。
完全计算机自动判断、自动比对。
14）工控机及操作系统
用于控制及数据处理，采用定制化系统，主要技术参数要求如下：
机箱：4Μ 15槽上架式机箱；
支持ATX母板；
CPΜ：INTEL双核；
主板：研华SIMB；
硬盘：1TB；内存4G；
3个5.25”和1个3.5”外部驱动器；
集成VGA显示接口、4个PCI接口、6个串口、6个ΜSB接口等。
西门子PLC逻辑控制
15）数据采集与处理单元
用于数据采集及数据处理，主要技术参数要求如下：
示波器;高压探头：满足表格4-11动态参数、短路电流、安全工作区测试需求
电流探头：满足表格4-11动态参数、短路电流、安全工作区测试需求
状态监测：NI数据采集卡
上位机：基于Labview人机界面
数据提取：测试数据可存储为Excel文件及其他用户需要的任何数据格式，特别是动态测试波形可存储为数据格式；所检测数据可传递至上位机处理；从检测部分传输的数据经上位机处理后可自动列表显示相应测试数据；数据处理和状态检测部分内容可扩展
用于安装固定试验回路及单元；主要技术参数要求如下；
风冷系统；
可显示主要电气回路参数及传感器测量值；
可直观监视试验过程，并可兼容高温摄像头；
防护等级：IP40。
面板按钮可以进行紧急操作
机柜颜色：RAL7035
17）压接夹具及其配套系统
工作压力范围：5～200kN；分辨率0.1kN
上下极板不平行度小于20μm
极板平整度小于10μm
压力可连续调节，施加压力平稳，不可出现加压时压力过冲
安全技术要求：满足GB 19517—2009电气设备安全技术规范；
测试工作电压：10kV（整体设备满足GB 19517—2009标准外，局部绝缘电压应满足测试需求）
18）其他辅件
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