什么是大功率半导体元件?其用途为何? 凡是半导体元件如金属氧化场效晶体管(MOSFET)、IGBT(INSULATED GATE B.TRANSISTOR)及TRIAC(可控硅)、SCR(晶闸管)、 GTO等各型闸流体与二极管(DI ODE)等,其工作电流与电压乘积若大于1KW以上,均可属于大功率的范围。1V -30V~30VQg栅极电荷 400~20000nC Ig:0~50A±3%±0。
大功率IGBT测试仪批发
什么是大功率半导体元件?其用途为何?
凡是半导体元件如金属氧化场效晶体管(MOSFET)、IGBT(INSULATED GATE B.TRANSISTOR)及TRIAC(可控硅)、SCR(晶闸管)、 GTO等各型闸流体与二极管(DI ODE)等,其工作电流与电压乘积若大于1KW以上,均可属于大功率的范围。1V -30V~30VQg栅极电荷 400~20000nC Ig:0~50A±3%±0。如下图片所示。此类元件多用于车船,工厂的动力,光电及其他能源的转换上。
测试大功率元件应用范例说明?
2011年,我们在深圳地铁运营公司前海车辆段大修车间,进行了实际的展示与操作,厂方提供了许多元件来测试,其中一部份由于损毁严重,在一开始的功能与元件判别过程,即被判出局,而未进入实质的参数量测,也有全新的IGBT,量测结果完全合乎出厂规格.对其测试数据极为满意,解决了特大功率器件因无法测试给机车在使用带来的工作不稳定、器件易烧坏、易等问题。数据采集后,后台软件自动及时绘出相应图表,以方便现场判断使用。用户能对旧品元件作筛选,留下可用元件,确实掌握设备运转的可靠度。
3.1开通时间Ton测试原理框图
图3-1开通时间测试原理框图
其中:Vcc 试验电压源
±VGG 栅极电压
C1 箝位电容
Q1 陪测器件(实际起作用的是器件中的续流二极管)
L 负载电感 :100uH、200uH、500uH、1000uH自动切换
IC 集电极电流取样电流传感器
DUT 被测器件
开通时间定义(见下图):栅极触发信号第二个脉冲上升的10%到集电极电流IC上升到10%的时间间隔为开通延迟时间td (on) ,集电极电流IC上升的10%到90%的时间间隔即为电流上升时间tr ,则ton= td (on)+tr
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