现今Power MOSFET(金属氧化物场效晶体管)及IGBT(绝缘栅型场效应晶体管)已成为大功率元件的主流,在市场上居于主导地位。由于科技进步,电力电子装置对轻薄短小及之要求 ,带动MOSFET及IGBT的发展,尤其应用于电气设备、光电、航天、铁路、电力转换....等领域,使半导体开发技术人员在市场需求下,对大功率元件的发展技术,持续在突破。1示波器:美国泰克新5系混合信号示波器(MSO),带宽
大功率IGBT测试仪批发
现今Power MOSFET(金属氧化物场效晶体管)及IGBT(绝缘栅型场效应晶体管)已成为大功率元件的主流,在市场上居于主导地位。由于科技进步,电力电子装置对轻薄短小及之要求 ,带动MOSFET及IGBT的发展,尤其应用于电气设备、光电、航天、铁路、电力转换....等领域,使半导体开发技术人员在市场需求下,对大功率元件的发展技术,持续在突破。1示波器:美国泰克新5系混合信号示波器(MSO),带宽500MHZ,垂直分辨率12位ADC,4通道。
技术要求
3.1整体技术指标
3.1.1 功能与测试对象
*1)功能
GBT模块动态参数测试。
*2)测试对象
被测器件IGBT模块动态参数。测试温度范围 Tj=25°及125°。
3.1.2 IGBT模块动态测试参数及指标
测试单元对IGBT模块和FRD的动态参数及其他参数的定义满足IEC60747-9以及IEC60747-2。
以下参数的测试可以在不同的电压等级、电流等级、温度、机械压力、回路寄生电感以及不同的驱动回路参数下进行。
用于安装固定试验回路及单元;主要技术参数要求如下;
风冷系统;
可显示主要电气回路参数及传感器测量值;
可直观监视试验过程,并可兼容高温摄像头;
防护等级:IP40。
面板按钮可以进行紧急操作
机柜颜色:RAL7035
17)压接夹具及其配套系统
工作压力范围:5~200kN;分辨率0.1kN
上下极板不平行度小于20μm
极板平整度小于10μm
压力可连续调节,施加压力平稳,不可出现加压时压力过冲
安全技术要求:满足GB 19517—2009电气设备安全技术规范;
测试工作电压:10kV(整体设备满足GB 19517—2009标准外,局部绝缘电压应满足测试需求)
18)其他辅件
产品主要有电力半导体器件、组件、模块(包括IGBT器件、新型SiC器件、功率晶闸管及功率整流管等)的检测及可靠性设备,电气自动化设备,电冶、电化学装置,电力半导体变流装置及各种高、中、低频感应加热电源、感应加热炉,晶闸管高压阀组、GTO、IGBT、IGCT、MOSFET驱动器、远距离光电转换软件控制系统、光电脉冲触发板、IGBT的智能高压驱动板等。001~10V
集电极电流ICE:
0-1600A 集电极电压VCEs:
0。
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