测试参数:
ICES 集电极-发射极漏电流
IGESF 正向栅极漏电流
IGESR 反向栅极漏电流
BVCES 集电极-发射极击穿电压
VGETH 栅极-发射极阈值电压
VCESAT 集电极-发射极饱和电压
ICON 通态电极电流
VGEON 通态栅极电压
VF 二极管正向导通压降
整个测试过程自动完成,电脑软件携带数据库管理查询功能,可生成测试曲线,方便操作使用。当元件损毁时,会连带将其
检修用IGBT测试仪现货供应
测试参数:
ICES 集电极-发射极漏电流
IGESF 正向栅极漏电流
IGESR 反向栅极漏电流
BVCES 集电极-发射极击穿电压
VGETH 栅极-发射极阈值电压
VCESAT 集电极-发射极饱和电压
ICON 通态电极电流
VGEON 通态栅极电压
VF 二极管正向导通压降
整个测试过程自动完成,电脑软件携带数据库管理查询功能,可生成测试曲线,方便操作使用。当元件损毁时,会连带将其驱动电路上的元件或与其并联使用的功率元件一并损伤,所以,必须即早发现更换。
什么是大功率半导体元件?其用途为何?
凡是半导体元件如金属氧化场效晶体管(MOSFET)、IGBT(INSULATED GATE B.TRANSISTOR)及TRIAC(可控硅)、SCR(晶闸管)、 GTO等各型闸流体与二极管(DI ODE)等,其工作电流与电压乘积若大于1KW以上,均可属于大功率的范围。如下图片所示。此类元件多用于车船,工厂的动力,光电及其他能源的转换上。测量目的:对模块的电压降参数进行检测,可判断模块是否处于正常状态。
开通特性测试采用双脉冲测试法。由计算机设定并控制输出集电极电压VCC值到被测器件的测试要求值(一般为被测器件额定电压的1/2),设定±VGG到测试要求值,计算机控制接通开关S1,并控制输出被测双脉冲触发信号,开通和关断被测器件两次,被测器件次开通后,集电极电流IC上升,直至被测器件饱和导通且IC达到测试规定值时,关断被测器件(设为t1时刻),之后电感L经二极管(Q1内部二极管)续流,IC迅速减小,直至IC降为零时,第二次开通被测器件(设为t2时刻),此后电感L中的电流向IC转移,IC迅速上升(若L足够大,t1~t2间隔足够短,L中的电流可视为恒流),直至被测器件再次达到饱和导通时(设为t3时刻),关断被测器件。记录下被测器件IC、VCE以及VGE在t2~t3之间的导通波形,其中,VCE采样到示波器的CH1通道,IC取样到示波器的CH2通道,VGE采样到示波器的CH3通道,示波器通过光通讯方式将测试波形传输给计算机,由计算机对测试波形进行分析与计算,后显示测试结果。中大功率的元件仅在功能上的完好是不够的,因其必须承受规格上的电压与电流,在某条件下,承受度的数据便称为此元件的参数。
IGBT静态参数测试部分主要材料技术要求
1)阈值电压测试电路
阈值电压测试电路(仅示出IEC标准测试电路)
满足表格9测试参数要求
低压开关电源要求:Vcc=12V (针对上图电路)
可调电源:0.1~10V±1%±0.01V;分辨率0.01V
集电极电流测试电路精度:10~50mA±1%±0.5mA;
50~200mA±1%±1mA;200~1000mA±1%±2mA;1000~2000mA±1%±5mA;
2)集射极截止电压/集射极截止电流测试电路
集射极截止电压/发射极截止电流测试电路
6 VCES
集射极截止电压 0~5000V 集电极电流ICES:
0。高压充电电源:10~2kV连续可调
支撑电容:额定电压2kV
集电极电流ICES:0.01~1mA±3%±0.001mA;1~10mA±2%±0.01mA;10~30mA±1%±0.1mA;30~300mA±1%±0.1mA
集电极电压VCES:200~1500V±2%±1V
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