三、华科智源IGBT测试仪系统特征:
A:测量多种IGBT、MOS管
B:脉冲电流1200A,电压5KV,测试范围广;
C:脉冲宽度 50uS~300uS
D:Vce测量精度2mV
E:Vce测量范围>10V
F:电脑图形显示界面
G:智能保护被测量器件
H:上位机携带数据库功能
I:MOS IGBT内部二极管压降
J : 一次测试IGBT全部静态参数
K: 生成测试曲线(IV曲线直观看到IG
封装用IGBT测试仪加工
三、华科智源IGBT测试仪系统特征:
A:测量多种IGBT、MOS管
B:脉冲电流1200A,电压5KV,测试范围广;
C:脉冲宽度 50uS~300uS
D:Vce测量精度2mV
E:Vce测量范围>10V
F:电脑图形显示界面
G:智能保护被测量器件
H:上位机携带数据库功能
I:MOS IGBT内部二极管压降
J : 一次测试IGBT全部静态参数
K: 生成测试曲线(IV曲线直观看到IGBT特性,可以做失效分析以及故障定位)
L:可以进行不同曲线的对比,观测同一批次产品的曲线状态,或者不同厂家同一规格参数的曲线对比;且变流器由多个模块组成,由于个体差异,大电流情况下的参数也会存在个体差异。
如何检测元件有老化的现象?
半导体元件有许多参数都很重要,有些参数如:放大倍率,触发参数,闩扣,保持参数,崩溃电压等,是提供给工程师在设计电路时的依据,在检测元件是否有老化的现象时,仅须测量导通参数及漏电流二项即可。将量测的数据与其出厂规格相比较,就可判定元件的好坏或退化的百分比。
何谓半导体元件的参数?功率元件由于经常有大电流往复的冲击,对半导体结构均具有一定的耗损性及破坏性,若其工作状况又经常在其安全工作区的边缘,更会加速元件的老化程度,故元件老化,就如人的老化一样是不可避免的问题。对元件使用上有何重要性?
中大功率的元件仅在功能上的完好是不够的,因其必须承受规格上的电压与电流,在某条件下,承受度的数据便称为此元件的参数。若元件的工作条件超过其参数数据,元件可能会立刻烧毁或造成性的损坏。
6)短路保护放电回路
紧急情况下放电,保证紧急情况时使设备处于安全电位。
回路耐压 DC10kV
放电电流 10kA(5ms)
工作温度 室温~40℃;
工作湿度 <70%
7)正常放电回路
用于设备正常关机时放电,使设备处于安全电位。
回路耐压 10kV
放电电流 50A
工作温度 室温~40℃;
工作湿度 <70%
8)高压大功率开关
电流能力 2000A
隔离耐压 10kV
响应时间 150ms
在调试期间发现元件有缺陷或受到损坏,应由卖方负责免费更换并予以赔偿。脉冲电流 20kA(不小于10ms)
工作方式 气动控制
工作气压 0.4MPa
工作温度 室温~40℃
工作湿度 <70%
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