什么是大功率半导体元件?其用途为何? 凡是半导体元件如金属氧化场效晶体管(MOSFET)、IGBT(INSULATED GATE B.TRANSISTOR)及TRIAC(可控硅)、SCR(晶闸管)、 GTO等各型闸流体与二极管(DI ODE)等,其工作电流与电压乘积若大于1KW以上,均可属于大功率的范围。如下图片所示。此类元件多用于车船,工厂的动力,光电及其他能源的转换上。1~200AVge
变频器用IGBT测试仪现货供应
什么是大功率半导体元件?其用途为何?
凡是半导体元件如金属氧化场效晶体管(MOSFET)、IGBT(INSULATED GATE B.TRANSISTOR)及TRIAC(可控硅)、SCR(晶闸管)、 GTO等各型闸流体与二极管(DI ODE)等,其工作电流与电压乘积若大于1KW以上,均可属于大功率的范围。如下图片所示。此类元件多用于车船,工厂的动力,光电及其他能源的转换上。1~200AVge栅极电压 -30V~30V -30~0V±1%±0。
测试大功率元件应用范例说明?
2011年,我们在深圳地铁运营公司前海车辆段大修车间,进行了实际的展示与操作,厂方提供了许多元件来测试,其中一部份由于损毁严重,在一开始的功能与元件判别过程,即被判出局,而未进入实质的参数量测,也有全新的IGBT,量测结果完全合乎出厂规格.对其测试数据极为满意,解决了特大功率器件因无法测试给机车在使用带来的工作不稳定、器件易烧坏、易等问题。用户能对旧品元件作筛选,留下可用元件,确实掌握设备运转的可靠度。IGBT动态参数测试系统技术要求1、设备概述该设备用于功率半导体模块(IGBT、FRD、肖特基二极管等)的动态参数测试,以表征器件的动态特性,通过测试夹具的连接,实现模块的动态参数测试。
技术要求
3.1整体技术指标
3.1.1 功能与测试对象
*1)功能
GBT模块动态参数测试。
*2)测试对象
被测器件IGBT模块动态参数。测试温度范围 Tj=25°及125°。
3.1.2 IGBT模块动态测试参数及指标
测试单元对IGBT模块和FRD的动态参数及其他参数的定义满足IEC60747-9以及IEC60747-2。
以下参数的测试可以在不同的电压等级、电流等级、温度、机械压力、回路寄生电感以及不同的驱动回路参数下进行。
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