IGBT测试装置技术要求
(1)设备功能
IGBT模块检测装置是用于IGBT的静态参数测试。否则,需按买方提出的修改意见重新制定出厂试验方案,直至买方评估合格。系统的测试原理符合相应的,系统为独立式单元,封闭式结构,具有升级扩展潜能。
IGBT模块检测装置是用于IGBT的静态参数测试,在IGBT的检测中,采用大电流脉冲对IGBT进行VCE饱和压降及续流二极管压降的检测。为提供稳定的大电流脉
封装用IGBT测试仪现货供应
IGBT测试装置技术要求
(1)设备功能
IGBT模块检测装置是用于IGBT的静态参数测试。否则,需按买方提出的修改意见重新制定出厂试验方案,直至买方评估合格。系统的测试原理符合相应的,系统为独立式单元,封闭式结构,具有升级扩展潜能。
IGBT模块检测装置是用于IGBT的静态参数测试,在IGBT的检测中,采用大电流脉冲对IGBT进行VCE饱和压降及续流二极管压降的检测。为提供稳定的大电流脉冲,采用了支撑电容补偿及步进充电的方法,解决IGBT进行VCE饱和压降及续流二极管压降的检测问题。
测试的IGBT参数包括:ICES(漏流)、BVCES(耐压)、IGESF(正向门极漏流)、IGESR(反向门极漏流)、VGETH(门槛电压/阈值)、VGEON(通态门极电压)、VCESAT(饱和压降)、ICON(通态集极漏流)、VF(二极管压降)、GFS(跨导)、rCE(导通电阻)等全直流参数, 所有小电流指标保证1%重复测试精度, 大电流指标保证2%以内重复测试精度。华科智源IGBT测试仪制造标准
华科智源IGBT测试仪HUSTEC-1200A-MT除满足本技术规格书的要求外,在其设计、制造、试验、检定等制程中还应满足以下标准的版本。
半导体元件全自动测试系统,可以元件在真正工作状态下的电流及电压,并测量重要参数的数据,再与原出厂指标比较,由此来判定元件的好坏或退化的百分比。2测试对象
IGBT、FRD、肖特基二极管等功率半导体模块
2。每个电流模块,都具有独立的供电系统,以便在测试时,提供内部电路及电池组充电之用; 可选购外部高压模块,执行关闭状态参数测试如:各项崩溃电压与漏电流测量达2KV。
7、测量配置
7.1 示波器:美国泰克新5系混合信号示波器(MSO),带宽500MHZ,垂直分辨率12位ADC,4通道;
7.2 高速电流探头;
7.3 高压差分探头。
8、测试参数应包括
8.1 开通:turn on (tdon , tr , di/dt , Ipeak , Eon , Pon );
8.2 关断:turn off (tdoff , tf , Eoff , Ic , Poff);
8.3 反向恢复 (Irr,Trr,di/dt,Qrr,Erec);
8.4 栅电荷:采用恒流驱动,电流可调范围:0~100mA;
8.5 短路(1200Amax);
8.6 雪崩;
8.7 NTC(模块)测试:0-20KΩ;
8.8 主要测试参数精度偏差 :< 3 % 。
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