华科智源HUSTEC-1200A-MT电参数测试仪可用于多种封装形式的 IGBT测试,还可以测量大功率二极管 、IGBT模块,大功率 IGBT、大功率双极型晶体管,MOS管等器件的 V-I 特性测试,测试1200A(可扩展至1600A),5000V以下的各种功率器件,广泛应用于轨道交通,电动汽车 ,风力发电,变频器,焊机行业的IGBT来料选型和失效分析,设备还可以用于变频器,风电,轨道交通,电焊机
检修用IGBT测试仪价格
华科智源HUSTEC-1200A-MT电参数测试仪可用于多种封装形式的 IGBT测试,还可以测量大功率二极管 、IGBT模块,大功率 IGBT、大功率双极型晶体管,MOS管等器件的 V-I 特性测试,测试1200A(可扩展至1600A),5000V以下的各种功率器件,广泛应用于轨道交通,电动汽车 ,风力发电,变频器,焊机行业的IGBT来料选型和失效分析,设备还可以用于变频器,风电,轨道交通,电焊机等行业的在线检修,无需从电路板上取下来进行单独测试,可实现的在线IGBT检测,测试方便,测试过程简单,既可以在测试主机里设置参数直接测试,又可以通过软件控制主机编程后进行自动测试,通过电脑操作完成 IGBT 的静态参数测试;操作系统、备份、保存、远程控制编辑、上传、故障自检报警等基本功能。
近两年IGBT测试仪持续火爆,新能源汽车,轨道交通,风力发电等等都需要大量的IGBT模块,所以我们华科智源推出了大功率IGBT测试仪,可以测试1200A,5000V以内的IGBT模块,基本可以涵盖现阶段的IGBT模块的测试了,我们IGBT测试仪还可以在线检测模块的电性能参数,对一些检修,维护领域的工作有比较好的帮助,目前国内我们华科智源不光是IGBT静态测试仪,包括动态测试仪,与的设备也可以放在一起竞争了,而且我们不怕竞争,这对我们是一种促进。
(2)主要技术参数
1)基本参数
功率源: 5000V 1200A
2)栅极-发射极漏电流IGES
IGES: 0.1-10uA±2%±0.01uA
集电极电压VCE: 0V
栅极电压Vge: 0-40V±3%±0.1V
3)集电极-发射极电压
集电极电压VCES: 100-5000V±2%±10V
集电极电流ICES: 0.1-5mA±3%±0.01mA
栅极电压Vge: 0V
4)集电极-发射极饱和电压VCESat
VCESat:0.2-5V
栅极电压Vge: ±15V±2%±0.2V
集电极电流ICE: 10-1200A±2%±1A
5)集电极-发射极截止电流ICES
集电极电压VCE: 100-5000V±3%
集电极电流ICES: 0.1-5mA±3%±0.01mA
栅极电压VGE: 0V
6)栅极-发射极阈值电压
VGEth: 1-10V±2%±0.1V
Vce: 12V
集电极电流ICE: 30mA±3%
7)二极管压降测试
VF: 0-5V±2%±0.01V
IF: 0-1200A±2%±1A
Vge: 0V
三、华科智源IGBT测试仪系统特征:
A:测量多种IGBT、MOS管
B:脉冲电流1200A,电压5KV,测试范围广;
C:脉冲宽度 50uS~300uS
D:Vce测量精度2mV
E:Vce测量范围>10V
F:电脑图形显示界面
G:智能保护被测量器件
H:上位机携带数据库功能
I:MOS IGBT内部二极管压降
J : 一次测试IGBT全部静态参数
K: 生成测试曲线(IV曲线直观看到IGBT特性,可以做失效分析以及故障定位)
L:可以进行不同曲线的对比,观测同一批次产品的曲线状态,或者不同厂家同一规格参数的曲线对比;(外部电感的H值传给PC,以计算电流源的极限,限制脉宽到1000us)。
5、感性负载
5.1 有效电感 L 100 200 500 1000 μH;
5.2 电流 Ic 1000 1000 1000 500 A;
外部电感成阵列的内部连接。(外部电感的H值传给PC,以计算电流源的极限,限制脉宽到1000us)。
6、标准的双控制极驱动
6.1 门极电阻可人工预先设定如:2.5Ω,5Ω,10Ω等;
6.2 开启(Trun-ON)输出电压 Vge+ : +15V;
6.3 关断(Trun-ON)输出电压 Vge- : -15V;
6.4 脉宽: 10 ~ 1000us (单脉冲、双脉冲总时间);
6.5 电压开关时间: < 50ns;
6.6 输出内阻: < 0.5Ω;
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