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检修用IGBT测试仪价格生产基地「华科智源」

IGBT测试装置技术要求 (1)设备功能 IGBT模块检测装置是用于IGBT的静态参数测试。系统的测试原理符合相应的,系统为独立式单元,封闭式结构,具有升级扩展潜能。 IGBT模块检测装置是用于IGBT的静态参数测试,在IGBT的检测中,采用大电流脉冲对IGBT进行VCE饱和压降及续流二极管压降的检测。3电流持续时间It:10~1000us单个脉冲或双脉冲的总时间。为提供稳定的大电流脉冲,
检修用IGBT测试仪价格

IGBT测试装置技术要求 (1)设备功能 IGBT模块检测装置是用于IGBT的静态参数测试。系统的测试原理符合相应的,系统为独立式单元,封闭式结构,具有升级扩展潜能。 IGBT模块检测装置是用于IGBT的静态参数测试,在IGBT的检测中,采用大电流脉冲对IGBT进行VCE饱和压降及续流二极管压降的检测。3电流持续时间It:10~1000us单个脉冲或双脉冲的总时间。为提供稳定的大电流脉冲,采用了支撑电容补偿及步进充电的方法,解决IGBT进行VCE饱和压降及续流二极管压降的检测问题。



半导体元件除了本身功能要良好之外,其各项参数能否达到电路上的要求,必须定期测量,否则产品的质量特性很难保证,尤其是较大的功率元件,因具有耗损性,易老化及效率降低,因不平衡导致烧毁,甚至在使用中会发生。所以对新产品及使用中的元件参数的筛选及检查更为重要。 半导体元件的每一个参数,依其极性的不同,都须要一个的测量电路,我公司所设计生产的半导体元件自动测试系统,具有一组继电器形成的矩阵电路,依每个参数的定义,形成千变万化的电路,再依元件的出厂规格加上额定的电流或电压后,在极短的时间内将所须要的数据量测出来,且有些参数从量测的数据经运算即可得知其特性是否在规定范围内。为提供稳定的大电流脉冲,采用了支撑电容补偿及步进充电的方法,解决IGBT进行VCE饱和压降及续流二极管压降的检测问题。



公司拥有一批长期从事自动控制与应用、计算技术与应用、微电子技术、电力电子技术方面的人才。公司装备精良,具有的检测手段,产品生产严格按照ISO9001∶2008标准质量管理体系运行,其、技术及工艺方面保持国内,部分产品达到国外同类产品的水平。 产品广泛应用于电力、冶金自动化、轨道交通、电力电子新能源开发等行业,部分产品出口到欧美等发达。三、华科智源IGBT测试仪系统特征: A:测量多种IGBT、MOS管 B:脉冲电流1200A,电压5KV,测试范围广。



开通特性测试采用双脉冲测试法。由计算机设定并控制输出集电极电压VCC值到被测器件的测试要求值(一般为被测器件额定电压的1/2),设定±VGG到测试要求值,计算机控制接通开关S1,并控制输出被测双脉冲触发信号,开通和关断被测器件两次,被测器件次开通后,集电极电流IC上升,直至被测器件饱和导通且IC达到测试规定值时,关断被测器件(设为t1时刻),之后电感L经二极管(Q1内部二极管)续流,IC迅速减小,直至IC降为零时,第二次开通被测器件(设为t2时刻),此后电感L中的电流向IC转移,IC迅速上升(若L足够大,t1~t2间隔足够短,L中的电流可视为恒流),直至被测器件再次达到饱和导通时(设为t3时刻),关断被测器件。记录下被测器件IC、VCE以及VGE在t2~t3之间的导通波形,其中,VCE采样到示波器的CH1通道,IC取样到示波器的CH2通道,VGE采样到示波器的CH3通道,示波器通过光通讯方式将测试波形传输给计算机,由计算机对测试波形进行分析与计算,后显示测试结果。大功率Igbt模块测试系统简介我公司所设计生产的半导体元件自动测试系统具备下列测试能力:☆可单机独立操作,测试范围达2000V及50A。





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