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大功率IGBT测试仪价格价格行情 华科静态参数IGBT

半导体元件除了本身功能要良好之外,其各项参数能否达到电路上的要求,必须定期测量,否则产品的质量特性很难保证,尤其是较大的功率元件,因具有耗损性,易老化及效率降低,因不平衡导致烧毁,甚至在使用中会发生。华科智源IGBT电参数测试仪,可用于多种封装形式的IGBT的测试,还可以测量大功率二极管、IGBT模块、大功率IGBT、大功率双极型晶体管等器件的VI特性测试,广泛应用于轨道交通,电动汽车,风力发电,
大功率IGBT测试仪价格

半导体元件除了本身功能要良好之外,其各项参数能否达到电路上的要求,必须定期测量,否则产品的质量特性很难保证,尤其是较大的功率元件,因具有耗损性,易老化及效率降低,因不平衡导致烧毁,甚至在使用中会发生。华科智源IGBT电参数测试仪,可用于多种封装形式的IGBT的测试,还可以测量大功率二极管、IGBT模块、大功率IGBT、大功率双极型晶体管等器件的VI特性测试,广泛应用于轨道交通,电动汽车,风力发电,焊机行业的IGBT来料选型和失效分析。所以对新产品及使用中的元件参数的筛选及检查更为重要。 半导体元件的每一个参数,依其极性的不同,都须要一个的测量电路,我公司所设计生产的半导体元件自动测试系统,具有一组继电器形成的矩阵电路,依每个参数的定义,形成千变万化的电路,再依元件的出厂规格加上额定的电流或电压后,在极短的时间内将所须要的数据量测出来,且有些参数从量测的数据经运算即可得知其特性是否在规定范围内。



如何执行导通参数与漏电流的量测?

测试条件中待输入的数字,必须依照元件生产厂所提供的规格来输入,而测量结果,亦必须在其所规定的限额内,否则,便为不良品。

大功率I g b t模块测试系统简介

我公司所设计生产的半导体元件自动测试系统具备下列测试能力:

☆可单机独立操作,测试范围达2000V及50A。

☆外接大电流扩展装置,检测范围可扩展1600A。



3.1开通时间Ton测试原理框图 图3-1开通时间测试原理框图 其中:Vcc 试验电压源 ±VGG 栅极电压 C1 箝位电容 Q1 陪测器件(实际起作用的是器件中的续流二极管) L 负载电感 :100uH、200uH、500uH、1000uH自动切换 IC 集电极电流取样电流传感器 DUT 被测器件 开通时间定义(见下图):栅极触发信号第二个脉冲上升的10%到集电极电流IC上升到10%的时间间隔为开通延迟时间td (on) ,集电极电流IC上升的10%到90%的时间间隔即为电流上升时间tr ,则ton= td (on)+tr





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