华科智源IGBT电参数测试仪，可用于多种封装形式的IGBT的测试，还可以测量大功率二极管、IGBT模块、大功率IGBT、大功率双极型晶体管等器件的VI特性测试，广泛应用于轨道交通，电动汽车，风力发电，焊机行业的IGBT来料选型和失效分析。测试过程简单，既可以在测试主机里设置参数直接测试，又可以通过软件控制主机编程后进行自动测试。IGBT静态参数测试部分主要材料技术要求
1）阈值电压测试电路
阈
大功率IGBT测试仪厂家
华科智源IGBT电参数测试仪，可用于多种封装形式的IGBT的测试，还可以测量大功率二极管、IGBT模块、大功率IGBT、大功率双极型晶体管等器件的VI特性测试，广泛应用于轨道交通，电动汽车，风力发电，焊机行业的IGBT来料选型和失效分析。测试过程简单，既可以在测试主机里设置参数直接测试，又可以通过软件控制主机编程后进行自动测试。IGBT静态参数测试部分主要材料技术要求
1）阈值电压测试电路
阈值电压测试电路（仅示出IEC标准测试电路）
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深圳市华科智源科技有限公司，是一家从事功率半导体测试系统自主研发制造与综合测试分析服务的高新技术企业，坐落于改革开放之都-深圳，核心业务为半导体功率器件智能检测准备研制生产，公司产品主要涉及SMT首件检测仪，MOS管直流参数测试仪，MOS管动态参数测试仪，IGBT动态参数测试系统，IGBT静态参数测试仪，在线式检修用IGBT测试仪，变频器检修用IGBT测试仪，IGBT模块测试仪，轨道交通检修用IGBT测试仪，风力发电检修用IGBT测试仪。4验收和测试
3)验收试验应在-10～40℃环境温度下进行，验收完成后测试平台及外部组件和装置均应安装在买方的位置上。
三、华科智源IGBT测试仪系统特征：
A：测量多种IGBT、MOS管
B：脉冲电流1200A，电压5KV，测试范围广；
C：脉冲宽度 50uS~300uS
D：Vce测量精度2mV
E：Vce测量范围>10V
F：电脑图形显示界面
G：智能保护被测量器件
H：上位机携带数据库功能
I：MOS IGBT内部二极管压降
J : 一次测试IGBT全部静态参数
K: 生成测试曲线（IV曲线直观看到IGBT特性，可以做失效分析以及故障定位）
L:可以进行不同曲线的对比，观测同一批次产品的曲线状态，或者不同厂家同一规格参数的曲线对比；（正本、副本）技术资料，应至少有一份采用中文，另一份技术资料可以是英文或中文。
2.7测试夹具
1、控制方式：气动控制
2、控温范围：室温—150℃
室温—125℃±1.0℃±3%
125—150℃±1.5℃±3%
3、电源：交流50HZ，220V，功率不大于1000W
4、夹具能安装不同规格的适配器，以测试不同规格的器件，不同模块需要配备不同的适配器，设备出厂时配备62mm封装测试夹具、EconoPACK3封装测试夹具、34mm封装测试夹具各一套，但需甲方提供适配器对应器件的外形图；IGBT动态参数测试系统技术要求1、设备概述该设备用于功率半导体模块（IGBT、FRD、肖特基二极管等）的动态参数测试，以表征器件的动态特性，通过测试夹具的连接，实现模块的动态参数测试。
2.8环境要求
环境温度：15～35℃
相对湿度：小于70%
大气压力：86Kpa～ 106Kpa
压缩空气：不小于0.4MPa
电网电压：AC220V±10%无严重谐波，三线制
电网频率：50Hz±1Hz
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