（2）主要技术参数
1）基本参数
功率源： 5000V 1200A
2）栅极-发射极漏电流IGES
IGES： 0.1-10uA±2%±0.01uA
集电极电压VCE： 0V
栅极电压Vge： 0-40V±3%±0.1V
3）集电极-发射极电压
集电极电压VCES： 100-5000V±2%±10V
集电极电流ICES： 0.1-5mA±3%±0.01mA
栅极电压Vg
检修用IGBT测试仪加工
（2）主要技术参数
1）基本参数
功率源： 5000V 1200A
2）栅极-发射极漏电流IGES
IGES： 0.1-10uA±2%±0.01uA
集电极电压VCE： 0V
栅极电压Vge： 0-40V±3%±0.1V
3）集电极-发射极电压
集电极电压VCES： 100-5000V±2%±10V
集电极电流ICES： 0.1-5mA±3%±0.01mA
栅极电压Vge： 0V
4）集电极-发射极饱和电压VCESat
VCESat：0.2-5V
栅极电压Vge： ±15V±2%±0.2V
集电极电流ICE： 10-1200A±2%±1A
5）集电极-发射极截止电流ICES
集电极电压VCE： 100-5000V±3%
集电极电流ICES： 0.1-5mA±3%±0.01mA
栅极电压VGE： 0V
6）栅极-发射极阈值电压
VGEth： 1-10V±2%±0.1V
Vce： 12V
集电极电流ICE： 30mA±3%
7）二极管压降测试
VF： 0-5V±2%±0.01V
IF： 0-1200A±2%±1A
Vge： 0V
为何老化的元件必须尽早发现及尽早更换？
当功率元件老化时，元件的内阻在导通时必定会加大，因而使温度升高，并使其效能降低。长期使用后若温升过高时，会使元件在关闭时的漏电流急遽升高。(因漏电流是以温度的二次方的曲线增加)，进而使半导体的接口产生大量崩溃，而将此元件完全烧毁。当元件损毁时，会连带将其驱动电路上的元件或与其并联使用的功率元件一并损伤，所以，必须即早发现更换。3、集电极电压：50～100V±3%±1V
100～500V±3%±5V
500V～1000V±3%±10V
4、栅极驱动电流：满足5A以下测试要求。
3、系统基本参数
3.1 电 压 源：220VAC ±10% ，50Hz/60Hz 20A RMS；
3.2 加热功能：室温～150℃；
3.3 测试功能：可测试IGBT模块及FRD；
3.4 环境温度：25℃±15℃；
3.5 环境湿度：50% ±20% （相对湿度）
4、动态测试基本配置
4.1 集电级电压 Vcc： 50 ~ 1000V；
4.2 集电极电流 Ic： 50 ~ 1000A 感性负载；
4.3 电流持续时间 It： 10 ~ 1000 us 单个脉冲或双脉冲的总时间； 4.4 脉 冲 模 式： 单脉冲和双脉冲；
4.5 单电流脉冲的设置： Vcc，Ic, 电感值（自动计算脉宽）；
4.6 双电流脉冲的设置： Vcc, Ic, 电感值，间隙时间（10到50us）(脉宽自动计算)；
（开启Qrr测试：第二个脉宽＝间隙时间，10~50us）；
4.7 设备寄生电感 Lint: < 65nH（感性动态测试）。
5 包装、标志和运输
卖方负责整套设备的包装和运输，并负担由此产生的费用。出厂调试结束、出厂前预验收完成后，卖方将为每个柜子量身定做包装柜，保证包装坚固，能适应境内公路、铁路运输，并兼顾设备在现场保存时间的要求。包装与运输由专人负责，每个部分随机文件包括发货清单、出厂合格证、试验报告和主要器件说明书等。中大功率的元件仅在功能上的完好是不够的，因其必须承受规格上的电压与电流，在某条件下，承受度的数据便称为此元件的参数。
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