三、华科智源IGBT测试仪系统特征：
A：测量多种IGBT、MOS管
B：脉冲电流1200A，电压5KV，测试范围广；
C：脉冲宽度 50uS~300uS
D：Vce测量精度2mV
E：Vce测量范围>10V
F：电脑图形显示界面
G：智能保护被测量器件
H：上位机携带数据库功能
I：MOS IGBT内部二极管压降
J : 一次测试IGBT全部静态参数
K: 生成测试曲线（IV曲线直观看到IG
变频器用IGBT测试仪加工
三、华科智源IGBT测试仪系统特征：
A：测量多种IGBT、MOS管
B：脉冲电流1200A，电压5KV，测试范围广；
C：脉冲宽度 50uS~300uS
D：Vce测量精度2mV
E：Vce测量范围>10V
F：电脑图形显示界面
G：智能保护被测量器件
H：上位机携带数据库功能
I：MOS IGBT内部二极管压降
J : 一次测试IGBT全部静态参数
K: 生成测试曲线（IV曲线直观看到IGBT特性，可以做失效分析以及故障定位）
L:可以进行不同曲线的对比，观测同一批次产品的曲线状态，或者不同厂家同一规格参数的曲线对比；测量目的：对模块的电压降参数进行检测,可判断模块是否处于正常状态。
欲测知元件老化，所须提供的测量范围为何？
当大功率元件在作导通参数的测试时，电流必须大到其所能承受的正常工作值，同时，在作关闭参数的漏电流测试时，电压也必须够高，以元件在真正工作状态下的电流与电压，如此其老化的程度才可显现。当这两个参数通过后，便表示元件基本上良好，再进一步作其他参数的测量，以分辨其中的优劣。建议进行高温测试，模拟器件使用工况，更为准确的判断器件老化程度。Eon、Eoff开通/关断能量 1～5000mJ 1～50mJ±2%±0。
用于安装固定试验回路及单元；主要技术参数要求如下；
风冷系统；
可显示主要电气回路参数及传感器测量值；
可直观监视试验过程，并可兼容高温摄像头；
防护等级：IP40。
面板按钮可以进行紧急操作
机柜颜色：RAL7035
17）压接夹具及其配套系统
工作压力范围：5～200kN；分辨率0.1kN
上下极板不平行度小于20μm
极板平整度小于10μm
压力可连续调节，施加压力平稳，不可出现加压时压力过冲
安全技术要求：满足GB 19517—2009电气设备安全技术规范；
测试工作电压：10kV（整体设备满足GB 19517—2009标准外，局部绝缘电压应满足测试需求）
18）其他辅件
2.3栅极电荷技术条件
测试参数：
栅极电荷Qg：20nC～100uC
20nC～100nC±5%，分辨率±1nC
100nC～500nC±5%，分辨率±5nC
500nC～2uC±5%，分辨率±10nC
2uC～10uC±5%，分辨率±50nC
10uC～100uC±5%，分辨率±100nC
测试条件：
1、栅极驱动电压：-15V～+15V±3%，分辨率±0.1V
2、集电极电流：50～100A±3%±1A;
100～500A±3%±2A;
500～1000A±3%±5A;
3、集电极电压：50～100V±3%±1V
100～500V±3%±5V
500V～1000V±3%±10V
4、栅极驱动电流：满足5A以下测试要求
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