华科智源HUSTEC-1200A-MT电参数测试仪可用于多种封装形式的 IGBT测试,还可以测量大功率二极管 、IGBT模块,大功率 IGBT、大功率双极型晶体管,MOS管等器件的 V-I 特性测试,测试1200A(可扩展至1600A),5000V以下的各种功率器件,广泛应用于轨道交通,电动汽车 ,风力发电,变频器,焊机行业的IGBT来料选型和失效分析,设备还可以用于变频器,风电,轨道交通,电焊机
轨道交通用IGBT测试仪批发
华科智源HUSTEC-1200A-MT电参数测试仪可用于多种封装形式的 IGBT测试,还可以测量大功率二极管 、IGBT模块,大功率 IGBT、大功率双极型晶体管,MOS管等器件的 V-I 特性测试,测试1200A(可扩展至1600A),5000V以下的各种功率器件,广泛应用于轨道交通,电动汽车 ,风力发电,变频器,焊机行业的IGBT来料选型和失效分析,设备还可以用于变频器,风电,轨道交通,电焊机等行业的在线检修,无需从电路板上取下来进行单独测试,可实现的在线IGBT检测,测试方便,测试过程简单,既可以在测试主机里设置参数直接测试,又可以通过软件控制主机编程后进行自动测试,通过电脑操作完成 IGBT 的静态参数测试;2反向恢复技术条件
测试参数:
1、Irr(反向恢复电流):50~1000A
50~200A±3%±1A
200~1000A±3%±2A
2、Qrr(反向恢复电荷):1~1000uC
1~50uC±5%±0。
近两年IGBT测试仪持续火爆,新能源汽车,轨道交通,风力发电等等都需要大量的IGBT模块,所以我们华科智源推出了大功率IGBT测试仪,可以测试1200A,5000V以内的IGBT模块,基本可以涵盖现阶段的IGBT模块的测试了,我们IGBT测试仪还可以在线检测模块的电性能参数,对一些检修,维护领域的工作有比较好的帮助,目前国内我们华科智源不光是IGBT静态测试仪,包括动态测试仪,与的设备也可以放在一起竞争了,而且我们不怕竞争,这对我们是一种促进。
3.6 VCES
集射极截止电压 0~5000V 集电极电流ICES:
0.01~1mA±3%±0.001mA;
1~10mA±2%±0.01mA;
10~50mA±1%±0.1mA;
集电极电压VCES:
0-5000V±1.5%±2V;
*
3.7 ICES
集射极截止电流 0.01~50mA
集电极电压VCES:
50~500V±2%±1V;
500~5000V±1.5%±2V;
集电极电流ICES:
0.001~1mA±3%±0.001mA;
1~10mA±2%±0.01mA;
10~150mA±1%±0.1mA;
*
3.8 VCE(sat)
饱和导通压降 0.001~10V
集电极电流ICE:
0-1600A 集电极电压VCEs:
0.001~10V±0.5%±0.001V
栅极电压Vge:
5~40V±1%±0.01V
集电极电流ICE:
0~100A±1%±1A;功率模块的VCE-IC特性曲线会随着器件使用年限的增加而变化,饱和压降Vcesat会逐渐劣化。
100~1600A±2%±2A;
*
3.9 Iges
栅极漏电流 0.01~10μA
栅极漏电流IGEs:
0.01~10μA±2%±0.005μA
栅极电压Vge:
±1V~40V±1%±0.1V;
Vce=0V;
* 3.10 VF
正向特性测试 0.1~5V 二极管导通电压Vf:
0.1~5V±1%±0.01V
电流IF:
0~100A±2%±1A;
100~1600A±1.5%±2A;
2.4短路技术条件
1、Vcc: 200~1000V
200~1000V±3%±2V
2、一次短路电流:20000A
500~1000A±3%±2A
1000A~5000A±2%±5A
5000A~20000A±2%±10A
3、tp:5-30us
2.5雪崩技术条件
1、Vce:50~500V±3%±5V
500~1000V±3%±5V
2、Ic:1A~50A
1A~9.9A±3%±50mA
10A~50A±3%±1A
3、EA:10mJ~20J
10mJ~1000mJ±3%±1mJ
1J~20J±3%±10mJ
4、脉冲宽度:40—1000uS可设定
5、测试频率:单次
2.6 NTC测试技术条件
阻值测量范围:0~20KΩ
开通特性测试采用双脉冲测试法。由计算机设定并控制输出集电极电压VCC值到被测器件的测试要求值(一般为被测器件额定电压的1/2),设定±VGG到测试要求值,计算机控制接通开关S1,并控制输出被测双脉冲触发信号,开通和关断被测器件两次,被测器件次开通后,集电极电流IC上升,直至被测器件饱和导通且IC达到测试规定值时,关断被测器件(设为t1时刻),之后电感L经二极管(Q1内部二极管)续流,IC迅速减小,直至IC降为零时,第二次开通被测器件(设为t2时刻),此后电感L中的电流向IC转移,IC迅速上升(若L足够大,t1~t2间隔足够短,L中的电流可视为恒流),直至被测器件再次达到饱和导通时(设为t3时刻),关断被测器件。半导体元器件检测中心——应用本公司测试系统可扩大检测中心的检测范围、提高检测效率,提升检测水平,增加经济效益。记录下被测器件IC、VCE以及VGE在t2~t3之间的导通波形,其中,VCE采样到示波器的CH1通道,IC取样到示波器的CH2通道,VGE采样到示波器的CH3通道,示波器通过光通讯方式将测试波形传输给计算机,由计算机对测试波形进行分析与计算,后显示测试结果。
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