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根据万用表示数分析,肖特基二极管测试结论如下(其中①②③为肖特基二极管自左而右的三只引脚编码):
一,根据①-②、③-②间均可测出正向电阻,判定被测管为共阴对管,①、③脚为两个阳极,②脚为公共阴极。
二,因①-②、③-②之间的正向电阻只几欧姆,而反向电阻为无穷大,故具有单向导电性。
三,内部两只肖特基二
二极管肖特基
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根据万用表示数分析,肖特基二极管测试结论如下(其中①②③为肖特基二极管自左而右的三只引脚编码):
一,根据①-②、③-②间均可测出正向电阻,判定被测管为共阴对管,①、③脚为两个阳极,②脚为公共阴极。
二,因①-②、③-②之间的正向电阻只几欧姆,而反向电阻为无穷大,故具有单向导电性。
三,内部两只肖特基二极管的正向导通压降分别为0.315V、0.33V,均手册中给定的允许值VFM(0.55V)。
ASEMI整流肖特基二极管快资讯!
SiC高压SBD
由于Si和GaAs的势垒高度和临界电场比宽带半导体材料低,用其制作的SBD击穿电压较低,反向漏电流较大。碳化硅(SiC)材料的禁带宽度大(2.2eV~3.2eV),临界击穿电场高(2V/cm~4×106V/cm),饱合速度快(2×107cm/s),热导率高为4.9W/(cm·K),抗化学腐蚀性强,硬度大,材料制备和制作工艺也比较成熟,是制作高耐压、低正向压降和高开关速度SBD的比较理想的新型材料。
肖特基二极管分为有引线和表面安装(贴片式)两种封装形式。肖特基二极管在结构原理上与PN结二极管有很大区别,它的内部是由阳极金属(用钼或铝等材料制成的阻挡层)、二氧化硅(SiO2)电场消除材料、N-外延层(材料)、N型硅基片、N+阴极层及阴极金属等构成。
ASEMI生产肖特基二极管12年,产品型号参数,欢迎详询
MUR2060CTR产品参数与整流原理图
“阳”指的是正极、正向电流或者指输入,“共阳”意味着共用一条引线作为输入端。MUR2060CTR是共阳管,就表明这个型号的快恢复二极管的输入正向电流是共用一条引线的。由下图可知,MUR2060CTR采用的是TO-220封装,有3条引脚,即引线;共用的一条引线为中间的引脚,因此电流方向是两段输出,中间输入的。
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