变频器一投入运行信号，即可由模块故障检测电路报出OC信号，变频器实施保护停机动作，对模块几乎无危害性。而万一-5V截止负压不足或丢失时（如同三相整流桥一样，我们可先把逆变输出电路看成一个逆变桥，则由IGBT管子组成了三个上桥臂和三个下桥臂，如U相上桥臂和U相下桥臂的IGBT管子。），当任一相的上（下）桥臂受激励而开通时，相应的下（上）桥臂IGBT管子则因截止负压的丢失，形成由I
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变频器一投入运行信号，即可由模块故障检测电路报出OC信号，变频器实施
保护停机动作，对模块几乎无危害性。而万一-5V截止负压不足或丢失时（如同三相整流桥一样，我们可先把逆变输出电路看成一个逆变桥，则由IGBT管子组成了三个上桥臂和三个下桥臂，如U相上桥臂和U相下桥臂的IGBT管子。），当任一相的上（下）桥臂受激励而开通时，相应的下（上）桥臂IGBT管子则因截止负压的丢失，形成由IGBT管子的集-栅结电容对栅-射结电容的充电，导致管子的误导通，两管共通对直流电源形成了短路！其后果是：模块都炸飞了！
变频器造成电能的浪费高频谐波电流使线路阻抗随着频率的增加而提高，对供
电线路产生了附加谐波损耗，造成电能的浪费，并且高频谐波会使电路等效阻抗增加，导致供电线路上的电压降增大，需要增大输出电缆的截面积，增加材料成本。影响电机的正常工作电动机的定子属于感性负载存在分散电容，谐波会引起电动机的额外温升，导致电机的机械效率下降，造成电动机输出转矩降低，长时间处于这种运行状态，会导致电机绕组的介电强度和体积电阻率的下降，引起电机的绝缘强度降低，降低电动机的使用寿命。
变频器功率场效应晶体管在提高击穿电压和增大电流方面进展较慢，故在变频
器中的应用尚不能居主导地位。2、绝缘栅双极晶体管（IGBT）IGBT是MOSFET和GTR相结合的产物，是栅极为绝缘栅结构（MOS结构）的晶体管，它的三个极分别是集电极C、发射极E和栅极G。工作特点是，控制部分与场效应晶体管相同，控制信号为电压信号Uge，输入阻抗很高，栅极电流I≈0，故驱动功率很小。而起主电路部分则与GTR相同，工作电流为集电极电流I。
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