当电路与电阻器、电容器组成振荡器时，电容器存储电荷产生的电压可使有关输入端的电压短时高于电源电压。
为防止这一现象导致锁定，应在该输入端串联限流电阻器(其阻值一般取定时电阻的2～3倍)。
选择导致锁定注入电流和过电压足够大的半导体集成电路。
电容器
当电路与电阻器、电容器组成振荡器时，电容器存储电荷产生的电压可使有关输入端的电压短时高于电源电压。
为防止这一现象导致锁定，应在该输入端串联限流电阻器(其阻值一般取定时电阻的2～3倍)。
选择导致锁定注入电流和过电压足够大的半导体集成电路。
尽量选择静电敏感度等级较高的半导体集成电路，如待选半导体集成电路未标明静电敏感度等级。
则应进行抗静电能力评价试验，以确定该品种抗静电能力的平均水平。
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（作者：冯思鸣 来源：深圳市新晨阳电子有限公司）
