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主营产品:半导体设备,IGBT动态,静态,可控硅,浪涌,雪崩测试

[供应]IGBT热循环负载试验台 湖南半导体器件研发

更新时间:2023-3-31 17:24:25
一、产品简介
该测试系统是晶闸管、整流二极管静态参数检验测试中不可缺少的测试设备。
 该套测试设备主要有以下几个单元组成:
1) 门极触发参数测试单元
2) 维持电流测试单元
3) 阻断参数测试单元
4) 通态压降参数测试单元
5) 电压上升率参数测试单元
6) 擎住电流
7) 门极电阻
8) 计算机控制系统
9) 合格证标签打印
10) 夹具单元;包含平板夹具和模块夹具
二、技术条件
主要技术指标:
  2.1  门极触发电压/门极触发电流测试单元IGT/VGT
1. 阳极电压:12V;
2. 阳极串联电阻:6Ω;
3. 门极触发电压:0.3~5.00V±3%±10mV;
4. 门极触发电流:2~450mA±3%±1 mA;
2.2  维持电流测试单元IH
1. 阳极电压:12V;
2. 预导通电流: >10A,正弦衰减波;
3. 维持电流: 2~450mA  ±5%±1 mA;
4. 测试频率:单次;
2.3  通态压降测试单元VTM
1. 平板器件通态电流:0.10~5.00kA,分辨率:0.01kA,精度±1 0A±5%;
2. 模块器件通态电流:0.10~2.00kA,分辨率:0.01kA,精度±1 0A±5%;
3.  电流上升沿时间:≥5ms;
4.  通态压降测试范围: 0.20~10.00V, 分辨率:0.01V,精度±0.1 V±5%;
5.  测试频率:单次;
2.4  断态电压/断态漏电流VD/ID;反向电压/反向漏电流VR/IR测试单元
1. 阻断电压:0.20~6.00kV,分辨率:0.01kV,精度±0.1 kV±3%;
模块单元阻断电压:0.20~4.00kV
2. 正反向自动测试:
3.正/反向漏电流:0.2~100 mA,分辨率:0.1 mA;
精度:±5%±1 mA;
4. 输出保护电压和电流可计算机设定范围值;在测试时电压或漏电流超过所  设定的范围则自动保护。   
5. 测试频率: 50HZ
2.5  断态电压临界上升率测试单元dv/dt
1. 电压:1200V,1600V,2000V三档,分辨率:1V,精度±5%;
2.  电压过冲范围:<50V±10%
3. DV/DT电压上升率三挡选择:dv/dt:800V/μs、1000V/μs、1200V/μs、精度±10%;
2.6  擎住电流IL:100-1800mA
2.7  平板夹具压力范围:6-60KN,气动加压方式
三、功能概述
3-1测试功能范围
该套测试设备主要可测试以下参数:
1. 门极参数测试:VGT、IGT
2. 维持电流测试:IH
3. 阻断参数测试:本测试单元可用以测量晶闸管的VDRM、VRRM、IDRM、IRRM以及整流二极管的VRRM、IRRM等参数。
4. 压降单元
本测试单元用来测量晶闸管、整流管的VTM、ITM、VFM、IFM等参数。
5、 电压上升率参数测试:dv/dt
6、 擎住电流IL
7、 门极电阻:适合门极触发电压在0.95V以上器件测试
3-2、测试方法和测试准则及原理满足 IEC 60747-6-2000 中关于晶闸管测试的具体规定。
本商机链接:http://www.cn5135.com/OfferDetail-94679188.html
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