可控硅反向恢复测试设备
1. 总 则
可控硅反向恢复测试设备主要完成功率器件在高di/dt下反向恢复特性参数的测试。
本技术规格书适用于ZY-Trr型功率半导体反向恢复特性测试台（下面简称测试台），规定了测试台的技术参数要求，试验方法、检验验收及包装运输要求等。
本技术规范并未对一切技术细节做出规定，所提供的货物应符合工业标准和本技术规范中所提要求。
2. 引用标准
GB/T 15291-2015 半导体器件 第6部分：晶闸管
JB/T 7624-2013 整流二极管测试方法
JB/T 7626-2013 反向阻断三极晶闸管测试方法
以及、IEC、IEEE相关标准，以上标准均执行版本。如本技术规范与上述各标准之间有矛盾，则应满足较高标准。
3. 技术要求
3.1. 测试主机
4.2主回路参数
序号 项目 指标范围 分辨率 误差范围 备注
1 直流电源 100V~4000V连续 10V ±3%±10V DC
2 支撑电容 ≥5mF ±5%±5uF C
3 Didt调节电感 0.5uH~1uH~2uH；分3档手动调节 ±5%
4 电流采集(I1) CWT30B 6000A
5 电压采集(v+/v-) TEKP6015A 20KV
6 过流保护(I2) CP9600LF
7 负载电感 分档：50uH/100uH/200uH/500uH
8 R/C IGCT吸收电阻
9 IGCT器件（Q1） 满足电压和电流量程
4.3测试参数
序号 参数 测试范围 精度 备注
1 -di/dt 200 ~5000A/us ±3%
2 VR 0-4000V ±3%
3 IF 200-5000A ±3%
4 IRR 0~5000A ±3%
注： 以上参数能够同时实现并独立可调同时能够测试反向恢复电荷Qrr、Qra，反向恢复电流IRM、反向恢复时间trr、ta，tb，s（软度因子），恢复能量Eoff。
4.4自动恒温压力夹具
序号 项目 参数 备注
1 工作方式 自动
2 压力范围 10～130KN分辨率0.1 KN；精度±5%
3 温度控制范围 70～180℃，分辨率0.1℃ 高压阳极控温器采用非接触式测温
5、 检测参数
参数 项目
*正向电流 范围：200-5000A，连续可调；
±3%±2A；
*二极管电压 范围：300-4000V，连续可调；
±3%±2V；
反向恢复电流测量范围 范围：200-5000A，连续可调；
±3%±10A
反向恢复电荷测量范围 200-35000μC±3%±10μC
反向恢复时间测量范围 0.01-40μs±3%±0.05μs
反向恢复能量测量范围 0.1-1000J±3%±0.1J
*可选电感 0.2、0.5、1、2、3μH可选
电流变化率 500A/μs-2500A/μs 可调
